Подробное поперечное сечение микросхемы DRAM объемом 64 Мб, на котором некоторые схемы заметно повреждены, демонстрируя признаки износа. Некоторые транзисторы, особенно те, которые подключены к более тяжелым нагрузкам, кажутся более надежными и менее подверженными воздействиям, в то время как другие, особенно те, которые подключены к аналоговым компонентам, демонстрируют явные признаки старения и сниженный конструктивный запас. Визуальные сигналы, возможно, цветовые сдвиги или трещины, указывают на старение, вызванное нагревом носителя. Стрелки или индикаторы могут указывать на конкретные транзисторы, выделяя те, которые наиболее важны для общей производительности DRAM. Наложенный текст или метки могут ссылаться на такие термины, как напряжение горячей несущей, проектный запас и структура схемы. На заднем плане видны тонкие узоры, напоминающие шаблоны стресс-тестов, намекающие на проведенные тесты на чипе., фото, 3d-рендеринг, яркий
