RU Подробное поперечное сечение микросхемы DRAM объемом 64 Мб, на котором некоторые схемы заметно повреждены, демонстрируя признаки износа. Некоторые транзисторы, особенно те, которые подключены к более тяжелым нагрузкам, кажутся более надежными и менее подверженными воздействиям, в то время как другие, особенно те, которые подключены к аналоговым компонентам, демонстрируют явные признаки старения и сниженный конструктивный запас. Визуальные сигналы, возможно, цветовые сдвиги или трещины, указывают на старение, вызванное нагревом носителя. Стрелки или индикаторы могут указывать на конкретные транзисторы, выделяя те, которые наиболее важны для общей производительности DRAM. Наложенный текст или метки могут ссылаться на такие термины, как напряжение горячей несущей, проектный запас и структура схемы. На заднем плане видны тонкие узоры, напоминающие шаблоны стресс-тестов, намекающие на проведенные тесты на чипе., фото, 3d-рендеринг, яркий
Promt:
A detailed cross-section of a 64 Mb DRAM chip, where certain circuits are visibly degraded, showing signs of wear and tear, Some transistors, especially those connected to heavier loads, appear more robust and less affected, while others, particularly those linked to analog components, show evident signs of aging and reduced design margin, Visual cues, perhaps color shifts or cracks, indicate the hot-carrier-induced aging, Arrows or indicators might point to specific transistors, highlighting the ones most critical to overall DRAM performance, Overlay text or labels could reference terms like 'hot-carrier stress', 'design margin', and 'circuit structure', In the background, subtle patterns reminiscent of stress/test patterns can be seen, hinting at on-chip tests that were conducted, photo, 3d render, vibrant
Размер:
1024x1024
Модель:
ideogram.ai
Сайт:
Цена:
бесплатно
Еще в подборке
